........................................................

Задать вопрос – НА ФОРУМЕ
Получить информацию – В РАЗДЕЛАХ
Сказать спасибо – В ГОСТЕВОЙ
Искать – ЗДЕСЬ

Что:
где:

........................................................

Возьми кнопку себе на сайт!

<a href="http://w-rabbit.narod.ru">
<img src="http://w-rabbit.narod.ru/w-rabbit.gif"
width=88 hight=31 border=0></a>

........................................................

© 2001. Design by Grayscale

........................................................


"Компьютер центр" №16 (74) 2001

На переднем крае

Специалистами исследовательской лаборатории фирмы Motorola, Inc. найден способ совмещения кремния с другими, более быстродействующими полупроводниками на одном кристалле. Это позволит создавать микросхемы с тактовыми частотами до 70 гигагерц, а также совмещать в одном чипе электронные и оптические узлы.
Предыстория такова: давно известно, что наиболее "скоростными" полупроводниками являются материалы, являющиеся соединениями трех- и пятивалентных химических элементов, такие, как арсенид и нитрид галлия, фосфид индия и целый ряд других. Есть и технологии создания отдельных деталей, например, широко используются сверхвысокочастотные арсенид-галлиевые диоды, светодиоды и лазеры. Однако до создания схем с высокой степенью интеграции дело не доходило из-за ряда технологических сложностей и крайней дороговизны процесса.
Для создания недорогой технологии нужно было как-то совместить "скоростные" полупроводники с кремнием, чтобы основная часть схемы могла быть выполнена по стандартным, хорошо проработанным кремниевым технологиям, и только критичные к скорости СВЧ-элементы сделаны из другого материала. Сам по себе кремний абсолютно несовместим с арсенидом галлия и подобными соединениями, попытка "наложить" слой на слой неизбежно приводила к возникновению механических напряжений и появлению трещин. Требовалось подобрать подходящую "прокладку", что и удалось, наконец, специалистам фирмы Motorola.
Значение этого технологического успеха трудно переоценить. "Это выдающееся достижение наших ученых, - говорит Дэннис Роберсон, директор технологического отдела фирмы, - когда оно будет доведено до серийного производства, произойдет технологический переворот в промышленности, сравнимый по масштабу с переходом от дискретных элементов к интегральным схемам".
Уже оформляются 270 (!) патентов, призванных защитить приоритет фирмы в этой области. Речь идет не только о самих технологиях сращивания разнородных полупроводников и химическом составе "прокладок", но и о возможности использовать в монолитных чипах оптические элементы (светоизлучающие и лазерные диоды) наряду с электронными, что позволит удешевить скоростные устройства связи с оптическим каналом. "Более 90% уже имеющихся оптических кабельных мощностей не используются или недогружены. - утверждает Боб Меррит, вице-президент корпорации Semico Research. - Новая технология позволит включить эти коммуникационные каналы на полную мощность".
Интересно, что первые образцы арсенид-галлиевых транзисторов, выращенных на кремниевой пластине, были получены уже несколько месяцев назад, однако Motorola не афишировала это событие до тех пор, пока не создала по этой технологии действующий СВЧ-усилитель, который прошел практическую проверку в нескольких сотовых телефонах. На очереди - создание более высокоинтегрированных схем, в том числе лазеров со встроенной схемой управления для DVD, процессоров потокового телевидения для сотовых телефонов, недорогих оптических интерфейсов для конечного пользователя и даже системы автомобильной электроники для предотвращения аварий.

На главную страницу <<<

Hosted by uCoz