Исследователи, работающие в Калифорнийском университете (Санта-Барбара, шт. Калифорния), создали новый класс квантовых структур для следующего поколения полупроводниковых ИС. Новая разработка представляет собой квантовую сверхрешетку, которая содержит в активной области прибора миллионы расположенных параллельно "проволочек" из арсенида галлия, имеющих поперечное сечение 5x5 нм. Экспериментальные квантовые приборы, созданные в других местах, уже позволили надеятся на повышение быстродействия в 1000 и увеличение плотности упаковки в 100 раз по сравнению с обычными транзисторами.

Создание сверхрешетки с "проволочной" структурой позволит исследователям проверить теорию, согласно которой сопротивление "проволочек" будет меньше, чем сопротивление обычного монокристаллического материала. Другие подходы к реализации квантовых структур, как, например, подход, выбранный фирмой Texas Instruments (Даллас), основаны на использовании тонких слоев материала в структурах с потенциальными ямами. При этом при движении электронов через переход (wall) транзистора наблюдаются волновые квантовые эффекты.

Исследователи из Калифорнийского университета в Санта-Барбаре использовали для создания "проволочек" установку молекулярно-лучевой эпитаксии, позволяющую производить послойное выращивание кристаллического материала моноатомными слоями толщиной около 5 нм. Такое выращивание в процессе создания структуры повторяется тысячекратно. Структура состоит из ряда параллельных слоев арсенида галлия, ограниченных с двух сторон арсенидом алюминия.

Разработавшая новые структуры группа работает в новом научно-технологическом центре, основанном Национальным научным фондом специально для исследований в области квантовой электроники. Этот центр, образованный в составе Калифорнийского университета в Санта-Барбаре, получил для своих работ на ближайшие 5 лет 1,7 млн. долл.